[发明专利]沟槽型双层栅MOS多晶硅间高密度等离子体氧化膜的制造方法

摘要

本发明公开了一种槽型双层栅MOS多晶硅间高密度等离子体氧化膜的制造方法，包括硅基板生长第一氮化膜；进行沟槽刻蚀；生长介质层；生长第一层多晶硅；对第一层多晶硅进行反刻蚀；去除第一层多晶硅上方沟槽侧壁的介质层；淀积第二氮化膜，刻蚀去除沟槽底部的第二氮化膜，露出第一层多晶硅；在第一层多晶硅上，生长热氧介质层；去除沟槽侧壁的第二氮化膜和硅基板表面的第一、二氮化膜；垫积高密度等离子体氧化膜，垫积厚度为4300埃至5000埃；湿法刻蚀高密度等离子体氧化膜；栅极氧化层生长；第二层多晶硅淀积与反刻蚀；形成基极和源极；形成接触孔、金属和钝化层。本发明与现有技术相比能提供更高的多晶硅间高密度等离子体氧化膜厚度稳定性。

主权项

一种沟槽型双层栅MOS多晶硅间高密度等离子体氧化膜的制造方法，其特征是，包括以下步骤：1）在硅基板上，生长第一氮化膜；2）在硅基板上，进行沟槽刻蚀；3）在沟槽内，生长介质层；4）在介质层上，生长第一层多晶硅；5）对第一层多晶硅进行反刻蚀；6）去除第一层多晶硅上方沟槽侧壁的介质层；7）在沟槽的底部和侧壁以及硅基板表面淀积第二氮化膜后，刻蚀去除沟槽底部的第二氮化膜，露出第一层多晶硅；8）在第一层多晶硅上，生长热氧介质层；9）去除沟槽侧壁的第二氮化膜和硅基板表面的第一、二氮化膜；10）垫积高密度等离子体氧化膜，垫积厚度为4300埃至5000埃；11）湿法刻蚀高密度等离子体氧化膜；12）生成一氧化膜后，再将此氧化膜刻蚀去除13）栅极氧化层生长；14）第二层多晶硅淀积与反刻蚀；15）形成基极和源极；16）形成接触孔、金属和钝化层。