[发明专利]一种制造黑硅材料的方法无效
| 申请号： | 201410474697.6 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104347759A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李世彬;王健波;杨光金;黄俊龙;吴志明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造黑硅材料的方法，包括：制备硅衬底材料；在氮气和六氟化硫的混合气氛中用激光脉冲照射硅衬底材料；在经过了激光脉冲照射之后的硅衬底材料表面沉积钝化层；对沉积了钝化层的硅衬底材料进行高温退火处理。本发明的实施例的方法中，在制造黑硅材料时，在氮气和六氟化硫的混合气氛下用激光脉冲进行照射，然后经过表面沉积钝化层等过程形成黑硅材料，这样形成的黑硅材料在250nm至2500nm整个波段都有高于93%的吸收，而且在经过高温退火处理之后吸收率也只是有一点点上下偏移，还是保持着在整个波段有着高吸收率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制造黑硅材料的方法，其特征在于，包括：制备硅衬底材料；在氮气和六氟化硫的混合气氛中用激光脉冲照射所述硅衬底材料；在经过了所述激光脉冲照射之后的所述硅衬底材料表面沉积钝化层；对沉积了所述钝化层的所述硅衬底材料进行高温退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410474697.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
