[发明专利]MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法和装置有效
| 申请号： | 201410469917.6 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN104237764B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 卞鸣锴;师谦 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 王程,陶品德 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法和装置，首先测量器件的初始界面态密度；常温下施加预设应力条件1，测量器件界面态密度；常温下施加预设应力条件2，测量器件界面态密度；然后确定器件退化的最大应力条件；测得器件阈值电压和饱和漏极电压；降温并施加最大应力条件，测量器件界面态密度；常温下施加最大应力条件，测量器件界面态密度；根据测得参数和基于HCI幸运电子模型得到的在一定应力条件下界面态密度随时间变化的规律、器件寿命与器件所受应力状态的关系获取器件的寿命。本发明在低温加速过程中无需恒温控制，降低测试成本，同时有效减小器件参数测试及最佳加速应力搜索过程中器件退化量对测试结果的影响。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 载流子 注入 寿命 退化 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：测量MOS器件的初始界面态密度Nit0；常温条件下对所述MOS器件施加预设应力条件1，测量所述MOS器件的界面态密度Nit1；常温条件下对所述MOS器件施加预设应力条件2，测量所述MOS器件的界面态密度Nit2；测试确定所述MOS器件退化的最大应力条件；测量得到所述MOS器件的阈值电压和饱和漏极电压；降温并对所述MOS器件施加所述最大应力条件，测量所述MOS器件的界面态密度Nit3；常温条件下对所述MOS器件施加所述最大应力条件，测量所述MOS器件的界面态密度Nit4；根据所述MOS器件的界面态密度Nit0、Nit1、Nit2、Nit3、Nit4、阈值电压、饱和漏极电压和基于HCI幸运电子模型得到的在一定应力条件下界面态密度随时间变化的规律以及器件寿命与器件所受应力状态的关系获取所述MOS器件的寿命。
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