[发明专利]MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法和装置有效
| 申请号： | 201410469917.6 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN104237764B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 卞鸣锴;师谦 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 王程,陶品德 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 载流子 注入 寿命 退化 测试 方法 装置 | ||
1.一种MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
测量MOS器件的初始界面态密度Nit0；
常温条件下对所述MOS器件施加预设应力条件1，测量所述MOS器件的界面态密度Nit1；
常温条件下对所述MOS器件施加预设应力条件2，测量所述MOS器件的界面态密度Nit2；
测试确定所述MOS器件退化的最大应力条件；
测量得到所述MOS器件的阈值电压和饱和漏极电压；
降温并对所述MOS器件施加所述最大应力条件，测量所述MOS器件的界面态密度Nit3；
常温条件下对所述MOS器件施加所述最大应力条件，测量所述MOS器件的界面态密度Nit4；
根据所述MOS器件的界面态密度Nit0、Nit1、Nit2、Nit3、Nit4、阈值电压、饱和漏极电压和基于HCI幸运电子模型得到的在一定应力条件下界面态密度随时间变化的规律、器件寿命与器件所受应力状态的关系获取所述MOS器件的寿命。
2.根据权利要求1所述的MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法，其特征在于，所述MOS器件的界面态密度Nit0、Nit1、Nit2、Nit3、Nit4根据电荷泵技术或C-V法或1/f噪声分析法或双二极管电荷分离法测量得到。
3.根据权利要求1或2所述的MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法，其特征在于，所述预设应力条件1包括：栅极电压为Vg1，漏极电压为Vd1，漏极电流为Id1；
所述预设应力条件2包括：栅极电压为Vg1，漏极电压为Vd2，漏极电流为Id2，所述应力条件2的漏极电压大于所述预设应力条件1的漏极电压。
4.根据权利要求3所述的MOS器件热载流子注入寿命退化的测试方法，其特征在于，测试确定所述MOS器件退化的最大应力条件的步骤包括：
保持所述预设应力条件2的漏极电压Vd2不变，调整所述MOS器件的栅极电压；
当所述MOS器件的基底电流IB达到最大值时，得到所述MOS器件的栅极电压为Vg2，漏极电流为Id3。
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