[发明专利]读出放大器有效
| 申请号： | 201410465842.4 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN105469818B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 冯楚华;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种读出放大器，包括第一级比较器、第二级比较器与电源弱相关偏置电压产生电路，该电源弱相关偏置电压产生电路分别连接该第一级比较器与该第二级比较器的电流偏置电路，以产生一与阈值电压相关而与电源电压弱相关的偏置电压给该第一级比较器与该第二级比较器的电流偏置电路。本发明通过将读出放大器的比较器的电流偏置电路的管子栅极固定在一个跟阈值电压相关、跟电源电压弱相关的电位上，减少了读出放大器在电源电压和工艺变化下的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 放大器 | ||
【主权项】：
一种读出放大器，包括第一级比较器、第二级比较器，其特征在于：该读出放大器还包括一电源弱相关偏置电压产生电路，该电源弱相关偏置电压产生电路包括一源极跟随器及一钳位电路，该钳位电路包括第四PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管及第一电阻，该第四PMOS管源极与该第五NMOS管漏极接电源电压，该第五NMOS管栅极与该第四PMOS管的漏极、该第四NMOS管的漏极相接形成第一节点，该第五NMOS管源极与该第四PMOS管栅极、该第四NMOS管栅极以及第一电阻相接形成第二节点，该第一电阻的另一端接地，该钳位电路用于产生一与电源弱相关而与工艺相关的基准电压，该源极跟随器用于对该基准电压进行微调并增加电路的带负载能力，该电源弱相关偏置电压产生电路分别连接该第一级比较器与该第二级比较器的电流偏置电路，以产生一与阈值电压相关而与电源电压弱相关的偏置电压给该第一级比较器与该第二级比较器的电流偏置电路。
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