[发明专利]一种背钝化PERC晶体硅太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201410461038.9 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104201245A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;张斌;邢国强 | 申请（专利权）人： | 合肥海润光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 刘燕娇 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背钝化PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其中，硅片背面采用印刷式的背钝化方式，将钝化浆料以点接触的图案到硅片背面：通过上述方式达到替代背钝化膜沉积和激光开膜两个工艺步骤的目的，从而背钝化PERC晶体硅太阳能电池的生产避免了采用真空沉积设备和激光设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 perc 晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背钝化PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：硅片背面采用印刷式的背钝化方式，将钝化浆料以点接触的图案到硅片背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
