[发明专利]一种高中低温加压直接法制备三氘化铝的方法

摘要

本发明涉及一种高中低温加压直接法制备三氘化铝的方法，属于材料科学与核技术交叉领域。本发明在高中低温加压的情况下下让金属铝与氘气反应生成三氘化铝。本发明解决了三氘化铝工业化规模制备技术和制备纯度问题，无复杂生产装置，所需制备装置简单易购，在现有工厂条件下即可实现三氘化铝生产线的安全搭建；制备工艺简单易操作，制备过程有惰性气体保护，安全可靠；产品产量和纯度较好，产品稳定性好，可以长期贮存；生产过程无“三废”产出，对人体和环境无害，环保绿色，这对工业化大规模安全制备高纯度三氘化铝及其规模应用具有重大意义。

主权项

一种高中低温加压直接法制备三氘化铝的方法，其特征在于：具体步骤如下：步骤一、在惰性气体的保护下，将金属铝切割成小块，得到小块金属铝；步骤二、在惰性气体保护下，将步骤一的小块金属铝装入槽型反应器中；然后再整体放入高压釜内；通过抽真空与通入惰性气体，使高压釜内的空气完全排出；步骤三、通过抽真空与通入氘气，置换出高压釜内的惰性气体，同时使高压釜内处于负压状态；步骤四、保持步骤三的负压状态，以15～50℃/min的升温速率将温度升至300～600℃；然后通入氘气；同时将输入釜舱内氘气压力调至200～600大气压；持续通入氘气，控制釜舱内氘气压力不变，以5～20℃/min的速度降温至80～170℃后，恒定温度与氘气流速，继续反应直至氘气压力表与高压釜内的压力完全处于平衡状态；步骤五、将高压釜温度、压力降至常温、常压，然后用惰性气体置换出釜舱内的氘气，得到三氘化铝。