[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201410456369.3 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105405883A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善电阻均匀性的半导体器件，通过在不违反芯片设计规则的前提下，通过在AA(有源区)或Fin的外围增设虚拟栅，通过增设的虚拟栅来改善半导体器件电阻的均匀性，进而减小了在半导体器件中由于栅极之间的间距过大进而造成的源漏区域外延工艺的微负载效应，提高器件性能；本发明在射频电路器件的制备中能够得到更好的应用，同时实现成本较低，利用现有技术及相关工艺设备能够较容易的实现，适合大范围推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括一设置有有源区的衬底，在位于所述有源区两侧的衬底上还均至少设置有一个虚拟栅，以改善所述半导体器件的电阻均匀性。
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