[发明专利]一种用于改善PERC电池背部开槽接触的方法在审
申请号: | 201410449122.9 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN104201150A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 郝彦磊;蒋方丹;金浩;陈康平 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L31/18 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 吴关炳 |
地址: | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于改善PERC电池背部开槽接触的方法,依次包括硅片抛光、制绒、扩散、去边结和去PSG、双面钝化、丝网印刷电极和烧结步骤,其特征在于:在所述去边结和去PSG步骤后增设背部丝网印刷Al浆并形成栅线状铝背场步骤,将制备有栅线状铝背场的硅片进行钝化后,背部印刷背电极主栅烧穿钝化层,从而与栅线状铝背场接触,能充分收集载流子,省去了常规双面钝化步骤后的背部开槽步骤;所述栅线状铝背场由排列整齐的若干细栅线组成。本发明省去了PERC电池背部开槽的工序,工艺简单,提高了生产效率,且制作成本低,性能更好。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 改善 perc 电池 背部 开槽 接触 方法 | ||
【主权项】:
一种用于改善PERC电池背部开槽接触的方法,依次包括硅片抛光、制绒、扩散、去边结和去PSG、双面钝化、丝网印刷电极和烧结步骤,其特征在于:在所述去边结和去PSG步骤后增设背部丝网印刷Al浆并形成栅线状铝背场步骤,将制备有栅线状铝背场的硅片进行钝化后,背部印刷背电极主栅烧穿钝化层,从而与栅线状铝背场接触,能充分收集载流子,省去了常规双面钝化步骤后的背部开槽步骤;所述栅线状铝背场由排列整齐的若干细栅线(1)组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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