[发明专利]一种多晶硅制备工艺

摘要

本发明公开了一种多晶硅制备工艺，包括以下步骤：1.在坩埚底部均匀铺设第一层形核源；2.在第一层形核源上涂喷涂层，涂层完整覆盖第一层形核源；3.在步骤2的涂层上均匀铺设第二层形核源；4.将多晶硅料盛装于坩埚中，完成装料；5.将装满硅料的坩埚置于多晶铸锭炉中，进行抽真空、加热，进而进入高温熔化阶段，所述铸锭炉的最大熔化温度控制在1510℃-1540℃，并通过调整热场保持多晶硅料自上而下进行熔化；6.通过高纯石英棒对形核源高度进行测量，当第二层形核源的剩余量为0cm时，进而进入长晶阶段；7.硅料经过长晶、退火、冷却，得到多晶硅锭。本发明可获得晶粒均匀细腻的多晶硅锭，具有缺陷较少，多晶硅锭底部少子寿命长，杂质率低，成品率高等特点。

主权项

一种多晶硅制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：1.在坩埚底部均匀铺设第一层形核源；2.在第一层形核源上涂喷涂层，涂层完整覆盖第一层形核源；3.在步骤2的涂层上均匀铺设第二层形核源；4.将多晶硅料盛装于坩埚中，完成装料；5.将装满硅料的坩埚置于多晶铸锭炉中，进行抽真空、加热，进而进入高温熔化阶段，所述铸锭炉的最大熔化温度控制在1510℃‑1540℃，通过调整热场保持多晶硅料自上而下进行熔化；6.当第二层形核源的剩余量为0cm时，进而进入长晶阶段；7.硅料经过长晶、退火、冷却，得到多晶硅锭。