[发明专利]DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法

摘要

本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。

主权项

聚合物薄膜表面处理方法，其特征在于，采用DBD低温等离子体产生装置进行处理，所述DBD低温等离子体产生装置包括功率源（1）、DBD等离子体反应器（2）、气瓶（3）、电阻分压器（5）和取样电阻（6）；所述DBD等离子体反应器（2）的反应室内设置有2个金属电极（21），其中一个金属电极（21）连接功率源（1）的高压输出端，另一个金属电极（21）接地，2个金属电极（21）相对的两个端面相互平行，两个金属电极（21）之间设置有至少3层介质板（22），相邻介质板（22）之间设置有垫片（23），使相邻介质板（22）之间具有宽度为1mm的间隙；所述DBD等离子体反应器（2）的反应室设置有进气口（25）和排气口（26），该进气口（25）通过进气管路与气瓶（3）相连，进气管路上还设置有流量计（4）；所述电阻分压器（5）的输入端连接在功率源（1）的高压输出端和与功率源（1）的高压输出端相连的金属电极（21）之间；未与功率源（1）的高压输出端相连的金属电极（21）通过取样电阻（6）接地；取样电阻（6）的阻值为0.2W，电阻分压器（5）的衰减倍数为4万倍；所述功率源（1）的重复频率500Hz、电压幅值为40kV；所述方法具体包括以下步骤：S1、DBD等离子体反应器（2）通电，在所有介质板（22）之间形成稳定的放电低温等离子体；S2、DBD等离子体反应器（2）断电，取出介质板（22），将待处理的聚合物薄膜贴到介质板（22）表面上，其中，靠近金属电极（21）的2个介质板（22）仅在远离金属电极（21）的一个表面上贴聚合物薄膜，其余介质板（22）两个表面均贴聚合物薄膜，聚合物薄膜与介质板（22）之间无气泡；S3、将贴好聚合物薄膜的介质板（22）放回到DBD等离子体反应器（2）的反应室中；S4、DBD等离子体反应器（2）再次通电，对聚合物薄膜进行表面处理，处理时间为30s；S5、处理完毕后，取出介质板（22），取下聚合物薄膜。