[发明专利]DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法

权利要求书

1.DBD低温等离子体产生装置，包括功率源（1）和DBD等离子体反应器（2），所述DBD等离子体反应器（2）的反应室内设置有2个金属电极（21），其中一个金属电极（21）连接功率源（1）的高压输出端，另一个金属电极（21）接地，2个金属电极（21）相对的两个端面相互平行，其特征在于，两个金属电极（21）之间设置有至少3层介质板（22），相邻介质板（22）之间具有间隙。

2.根据权利要求1所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，所述间隙的宽度为0.5mm-3mm。

3.根据权利要求1所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，相邻介质板（22）之间设置有垫片（23）。

4.根据权利要求3所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，所述介质板（22）呈矩形状，相邻介质板（22）之间设置有4个垫片（23），4个垫片（23）分别位于介质板（22）的四个角上。

5.根据权利要求1至4任一所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，所述金属电极（21）为平板电极或圆柱形电极。

6.根据权利要求1至4任一所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，所述金属电极（21）为圆形平板状铜电极，直径为120mm-140mm，电极边缘具有3mm-6mm倒角，所述介质板（22）采用石英介质板。

7.根据权利要求1至4任一所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，还包括气瓶（3）、电阻分压器（5）和取样电阻（6）；所述DBD等离子体反应器（2）的反应室设置有进气口（25）和排气口（26），该进气口（25）通过进气管路与气瓶（3）相连，进气管路上还设置有流量计（4）；所述电阻分压器（5）的输入端连接在功率源（1）的高压输出端和与功率源（1）的高压输出端相连的金属电极（21）之间；未与功率源（1）的高压输出端相连的金属电极（21）通过取样电阻（6）接地。

8.聚合物薄膜表面处理方法，其特征在于，采用权利要求 1至4中任一所述的DBD低温等离子体产生装置进行处理，具体包括以下步骤：

S1、DBD等离子体反应器（2）通电，在所有介质板（22）之间形成稳定的放电低温等离子体；

S2、DBD等离子体反应器（2）断电，取出介质板（22），将待处理的聚合物薄膜贴到介质板（22）表面上，其中，靠近金属电极（21）的2个介质板（22）仅在远离金属电极（21）的一个表面上贴聚合物薄膜，其余介质板（22）两个表面均贴聚合物薄膜，聚合物薄膜与介质板（22）之间无气泡；

S3、将贴好聚合物薄膜的介质板（22）放回到DBD等离子体反应器（2）的反应室中；

S4、DBD等离子体反应器（2）再次通电，对聚合物薄膜进行表面处理；

S5、处理完毕后，取出介质板（22），取下聚合物薄膜。

9.根据权利要求8所述的聚合物薄膜表面处理方法，其特征在于，在将待处理的聚合物薄膜在贴到介质板（10）表面之前还进行了以下处理：

（1）将待处理的聚合物薄膜采用酒精超声清洗5分钟；

（2）将采用酒精超声清洗后的聚合物薄膜真空干燥1小时。

10.根据权利要求8所述的聚合物薄膜表面处理方法，其特征在于，步骤S5中，取下聚合物薄膜时还对与等离子体接触的一面进行标记，步骤S5之后还进行了如下处理：

（a）将步骤S5中取下的聚合物薄膜采用酒精超声清洗5分钟；

（b）将步骤（a）中采用酒精超声清洗后的聚合物薄膜真空干燥1小时。