[发明专利]一种超结功率器件终端结构有效
| 申请号： | 201410439266.6 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104183627B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 任敏;姚鑫;王为;张建刚;韩天宇;许高潮;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种表面电场优化的超结功率器件终端结构。本发明提出的优化超结功率器件表面电场的终端结构在超结功率器件终端区表面设置阶梯形第一导电类型半导体轻掺杂区5，使终端区表面电场平坦性得到了理想的改善，提高了器件阻断特性的稳定性，提高了器件的可靠性；同时也提高了器件的耐压能力。本发明尤其适用于超结功率器件终端结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种超结功率器件终端结构，该终端结构包括第一导电类型半导体衬底(2)、设置在第一导电类型半导体衬底(2)下层的金属漏极(1)、设置在第一导电类型半导体衬底(2)上层的第一导电类型半导体外延区(3)；所述第一导电类型半导体外延区(3)上层远离元胞区的一端设置有截止环(12)；其特征在于，第一导电类型半导体外延区(3)中设置有多个第二导电类型半导体掺杂柱(4)；所述多个第二导电类型半导体掺杂柱(4)的底端位于同一水平面，其竖直高度从终端结构靠近元胞区的一端到远离元胞区的一端依次逐个降低；第一导电类型半导体外延区(3)上表面和第二导电类型半导体掺杂柱(4)顶部之间设置有第一导电类型半导体轻掺杂区(5)；所述第一导电类型半导体轻掺杂区(5)与所述第二导电类型半导体掺杂柱(4)之间产生纵向耗尽，所述第一导电类型半导体外延区(3)与所述第二导电类型半导体掺杂柱(4)之间产生横向耗尽；当所述第一导电类型半导体为N型半导体、第二导电类型半导体为P型半导体时，所述超结功率器件为N沟道超结功率器件；反之，所述超结功率器件为P沟道超结功率器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410439266.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
