[发明专利]原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法。原子层刻蚀装置包括反应腔体、隔板组件、第一等离子体产生装置和第二等离子体产生装置。隔板组件将反应腔室分隔成上腔室和下腔室，隔板组件包括可以接地或与直流偏压电源连接的隔板，以阻止上腔室内的带电粒子进入下腔室且允许活性中性粒子进入下腔室。第一等离子体产生装置用于将进入到上腔室内的气体激发为等离子体。第二等离子体产生装置用于将进入到下腔室内的气体激发为等离子体。本发明的原子层刻蚀装置，采用活性吸附粒子化学吸附替代传统反应气体吸附，可以显著提高刻蚀速率，缩短刻蚀周期时间，节约刻蚀反应气体的使用量，降低了工艺成本。

主权项

一种原子层刻蚀装置，其特征在于，包括：反应腔体，所述反应腔体内具有反应腔室；隔板组件，所述隔板组件设在所述反应腔室内且将所述反应腔室分隔成上腔室和下腔室，所述隔板组件包括至少一个隔板，所述隔板上设有在该隔板的厚度方向上贯通的通孔，所述隔板接地或与直流偏压电源连接，以阻止所述上腔室内的带电粒子进入所述下腔室和允许活性中性粒子进入所述下腔室；所述上腔室具有用于向所述反应腔室内供给气体的进气口，所述上腔室顶部设有第一进气口，用于向所述反应腔室内通入反应气体；所述下腔室具有用于放置载片的支撑装置，和用于从所述反应腔室内抽气的排气口；第一等离子体产生装置，所述第一等离子体产生装置用于将进入到所述上腔室内的气体激发为等离子体；第二等离子体产生装置，所述第二等离子体产生装置用于将进入到所述下腔室内的气体激发为等离子体。