[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理工艺的监测方法

摘要

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括处理腔室，处理腔室内设有承载基片的基座和输入反应气体的气体喷淋头。多个可透过等离子体光辐射的窗口形成于处理腔室侧壁的不同高度上且至少包括第一和第二窗口。第一窗口具有与基片位置对应的第一高度，第二窗口具有大于第一高度的第二高度。终点监测单元从第二窗口所透过的等离子体光辐射中获得第二光强信号，从第一窗口所透过的等离子体光辐射中获得与反应物浓度或副产物浓度对应的第一光强信号，对第一和第二光强信号运算以抵消外部干扰造成的第一光强信号和第二光强信号的抖动并根据运算结果检测等离子体处理工艺的终点，从而消除外部干扰对工艺终点判断的影响，提高终点监测的准确性。

主权项

一种等离子体处理装置，包括：处理腔室，其底部设有用于承载待处理基片的基座、顶部设有用于向所述处理腔室内输入反应气体的气体喷淋头；射频源，用于将所述处理腔室内的反应气体电离以生成等离子体；其特征在于，还包括：形成于所述处理腔室侧壁不同高度的至少包括第一窗口和第二窗口的多个可透过等离子体光辐射的窗口，所述第一窗口具有与所述基片的位置相对应的第一高度，所述第二窗口具有大于所述第一高度的第二高度；以及终点监测单元，其从由所述第二窗口透过的等离子体光辐射中获得第二光强信号以及从由所述第一窗口所透过的等离子体光辐射中获得第一光强信号，将所述第一光强信号与所述第二光强信号运算以将由与等离子体处理工艺的反应变化无关的外部干扰信号所引起的所述第一光强信号和第二光强信号的抖动相抵消，并根据运算结果检测所述等离子体处理工艺的终点，其中所述第一光强信号与所述等离子体处理工艺的反应物浓度或副产物浓度对应。