[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201410413496.5 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104900715A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 杉田尚正 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，半导体器件具备：阴极电极；阳极电极；第一导电型的第一半导体区域，设置在阴极电极的上侧、阳极电极的下侧；第一导电型的第二半导体区域，设置在阳极电极和阴极电极之间，第一导电型的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度高，被第一半导体区域围住；第二导电型的第三半导体区域，设置在阳极电极和第二半导体区域之间，被第二半导体区域围住阳极电极侧的表面以外的部分；以及第四半导体区域，设置在第三半导体区域和第二半导体区域之间，围住第三半导体区域的端部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包括：阴极电极；阳极电极；第一导电型的第一半导体区域，设置在上述阴极电极的上侧、上述阳极电极的下侧；第一导电型的第二半导体区域，设置在上述阳极电极和上述阴极电极之间，第一导电型的杂质浓度比上述第一半导体区域的杂质浓度高，被上述第一半导体区域围住；第二导电型的第三半导体区域，设置在上述阳极电极和上述第二半导体区域之间，被上述第二半导体区域围住上述阳极电极侧的表面以外的部分；以及第四半导体区域，设置在上述第三半导体区域和第二半导体区域之间，围住上述第三半导体区域的端部。
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