[发明专利]一种抗单粒子辐射效应的加固锁存器电路在审

专利信息
申请号: 201410412231.3 申请日: 2014-08-20
公开(公告)号: CN104202037A 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 梁华国;王志;黄正峰;蒋翠云;闫爱斌;易茂祥;吴悠然 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094;H03K3/3565
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230009 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种抗单粒子辐射效应的加固锁存器电路,包括第一传输门单元、第二传输门单元、施密特反相器、常规输入分离反相器、第一输入分离钟控反相器、第二输入分离钟控反相器、延迟电路和MullerC单元电路。本发明工作在透明模式时,有效利用施密特反相器的迟滞效应和锁存器内部单元的延迟差,通过MullerC单元屏蔽来自组合逻辑单元的SET脉冲;工作在锁存模式时,通过改进具有自恢复能力的DICE单元结构,使得任意一个内部节点受到辐射效应影响发生SEU后都能通过其他节点的状态恢复过来,保证了锁存器的正确输出。因此,可以有效地消除辐射效应对电路的影响,适用于时钟门控电路,具有功耗和面积开销小的优点。
搜索关键词: 一种 粒子 辐射 效应 加固 锁存器 电路
【主权项】:
一种抗单粒子辐射效应的加固锁存器电路,其特征在于:包括有第一传输门单元、第二传输门单元、施密特反相器、常规输入分离反相器、第一输入分离钟控反相器、第二输入分离钟控反相器、延迟电路和Muller C单元电路,第一传输门单元和第二传输门单元的信号输入端同时与数据输入信号D端口相连接;第一传输门单元的输出分别与施密特反相器的第一信号输入端in31、常规输入分离反相器的第二信号输入端in42和第一输入分离钟控反相器的输出端out5相连接;第二传输门单元的输出分别与施密特反相器的第二信号输入端in32、常规输入分离反相器的第一信号输入端in41和第二输入分离钟控反相器的输出端out6相连接;施密特反相器的信号输出端out3分别与第一输入分离钟控反相器的第二信号输入端in52、第二输入分离钟控反相器的第一信号输入端in61和延迟电路的信号输入端in7相连接;常规输入分离反相器的信号输出端out4分别与第一输入分离钟控反相器的第一信号输入端in51、第二输入分离钟控反相器的第二信号输入端in62以及Muller C单元电路的第二信号输入端in82相连接;延迟电路的信号输出端out7与Muller C单元电路的第一信号输入端in81相连接;Muller C单元电路的信号输出端out8为数据输出端Q端口。
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