[发明专利]一种含N-P=S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用

摘要

本发明涉及一种含N-P=S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用，其结构如式（I）所示：（I）其中Ar表示咔唑或者叔丁基咔唑，Ph是苯基。含有N-P=S共振结构，动态调节电学性能，高三线态能级，双极传输型的光电功能材料，其优点是：原料廉价，合成方法简便，并且该类材料具有良好的溶解性、成膜性和稳定性。通过引入N-P=S的共振结构可以明显的改善材料的载流子传输能力，赋予其优异的空穴传输和电子传输能力。利用本发明材料制备的电致发光器件，具有高效率、较低的启亮电压以及稳定的电致发光性能，本发明对发展高效稳定的有机发光二极管具有重要意义。

主权项

N‑P=S共振结构的光电功能材料，其特征在于，结构如式I所示：（I）其中，Ph是苯基，Ar如式II或者式III所示；（II）、（III）x=1或2，y=3‑x。