[发明专利]γ辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法无效
| 申请号： | 201410403083.9 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104183676A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王兴军;李玉涟;张波;邱维阳;何素明;周书同;罗向东;翁钱春;陆卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种γ射线辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法，该方法在标准大气压，普通空气氛围下，采用γ射线对LED芯片进行辐照。选择适当的辐照剂量，使辐照后LED内In组分起伏增强，In团簇对载流子的束缚能力增加，载流子局域能力增强，因此发生去局域时电流密度增大，从而降低LED的效率崩塌效应，增强大电流密度下的发光强度。本发明工艺简单，操作方便，可大面积使用，与LED复杂的外延片生长过程和芯片制作过程无关，因此适于对LED芯片的光学性能进行改进，以促进InGaN基白光LED的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 降低 led 效率 崩塌 效应 增强 发光强度 方法 | ||
【主权项】：
γ辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法，其特征在于：将InGaN基LED芯片置于γ射线辐照源中，辐照剂量小于300Mrad。
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