[发明专利]疏水围堰有效
申请号: | 201410400892.4 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN104377311B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | J·爱萨克;G·威廉姆斯;D·福赛西;L·伯姆伯尔 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明涉及疏水围堰。本发明提供一种构造具有电绝缘围堰结构的电子设备的方法,其中该电绝缘围堰结构具有限定井的侧壁,该方法包括:形成围堰结构,以使得侧壁包括从表面层区域延伸的第一斜坡和从第一个斜坡延伸的更陡的第二斜坡,侧壁在与第一斜坡隔开的第二斜坡上的点处具有表面能量中断;通过在井中沉积所述材料的溶液,形成具有包括有机半导电材料的至少一层的层结构,其中所沉积的溶液浸湿第一斜坡和第二斜坡直到在所述表面能量中断处的钉扎点;以及烘干所沉积的溶液。 | ||
搜索关键词: | 疏水 围堰 | ||
【主权项】:
1.一种构造电子设备的方法,该电子设备包括具有表面层和在所述表面层上限定井的围堰结构的基板,该围堰结构包括电绝缘材料并且具有包围所述表面层的区域的侧壁,由此限定该井,该表面层区域包括第一电极和部分反射器层,其中该部分反射器层被布置为形成微腔,并且该设备还包括第二电极以及配置于第一电极和第二电极之间的半导电材料,所述方法包括:形成具有所述侧壁的所述围堰结构并且除去所述围堰结构的一部分,使得所述侧壁被形成为包括从所述表面层区域延伸的第一斜坡和从第一斜坡延伸的第二斜坡,其中第二斜坡比第一斜坡陡,其中侧壁在第二斜坡上的与第一斜坡隔开的点处具有表面能量中断;形成具有至少一层的层结构,该层结构配置于第一电极和第二电极之间并且具有半导电材料,其中形成该层结构包括:在表面层区域上以及在侧壁的第一斜坡和第二斜坡上沉积有机溶液,以形成可溶液加工的层,其中所沉积的有机溶液浸湿第一斜坡和第二斜坡直到在表面能量中断处的钉扎点;以及烘干所沉积的有机溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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