[发明专利]疏水围堰有效

专利信息
申请号: 201410400892.4 申请日: 2014-08-15
公开(公告)号: CN104377311B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: J·爱萨克;G·威廉姆斯;D·福赛西;L·伯姆伯尔 申请(专利权)人: 剑桥显示技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈华成
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及疏水围堰。本发明提供一种构造具有电绝缘围堰结构的电子设备的方法,其中该电绝缘围堰结构具有限定井的侧壁,该方法包括:形成围堰结构,以使得侧壁包括从表面层区域延伸的第一斜坡和从第一个斜坡延伸的更陡的第二斜坡,侧壁在与第一斜坡隔开的第二斜坡上的点处具有表面能量中断;通过在井中沉积所述材料的溶液,形成具有包括有机半导电材料的至少一层的层结构,其中所沉积的溶液浸湿第一斜坡和第二斜坡直到在所述表面能量中断处的钉扎点;以及烘干所沉积的溶液。
搜索关键词: 疏水 围堰
【主权项】:
1.一种构造电子设备的方法,该电子设备包括具有表面层和在所述表面层上限定井的围堰结构的基板,该围堰结构包括电绝缘材料并且具有包围所述表面层的区域的侧壁,由此限定该井,该表面层区域包括第一电极和部分反射器层,其中该部分反射器层被布置为形成微腔,并且该设备还包括第二电极以及配置于第一电极和第二电极之间的半导电材料,所述方法包括:形成具有所述侧壁的所述围堰结构并且除去所述围堰结构的一部分,使得所述侧壁被形成为包括从所述表面层区域延伸的第一斜坡和从第一斜坡延伸的第二斜坡,其中第二斜坡比第一斜坡陡,其中侧壁在第二斜坡上的与第一斜坡隔开的点处具有表面能量中断;形成具有至少一层的层结构,该层结构配置于第一电极和第二电极之间并且具有半导电材料,其中形成该层结构包括:在表面层区域上以及在侧壁的第一斜坡和第二斜坡上沉积有机溶液,以形成可溶液加工的层,其中所沉积的有机溶液浸湿第一斜坡和第二斜坡直到在表面能量中断处的钉扎点;以及烘干所沉积的有机溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥显示技术有限公司,未经剑桥显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410400892.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top