[发明专利]磁阻传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201410396052.5 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105301539A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陈光镜;李佳谋;汤泰郎;李干铭;杨名声 | 申请（专利权）人： | 宇能电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种测试磁传感器用的测试组件包括测试接口与可拆卸式的磁场产生器。测试接口包括一基板及多个测试终端。基板包括第一侧及与第一侧相对的第二侧。多个测试终端是配置于基板的第一侧上。可拆卸式的磁场产生器是以可拆卸的方式配置于基板的第二侧。可拆卸式的磁场产生器包括线圈支撑件及卷绕线圈支撑件的至少一线圈。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种测试磁传感器用的测试组件，包括：一测试接口，包括一基板及多个测试终端，该基板包括一第一侧及与该第一侧相对的一第二侧，该多个测试终端是配置于该基板的该第一侧上；及一可拆卸式的磁场产生器，是以可拆卸的方式配置于该基板的第二侧，包括一线圈支撑件及卷绕该线圈支撑件的至少一线圈。
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