[发明专利]用于穿硅通路金属化的粘合层有效
| 申请号： | 201410395895.3 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104377162B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 阿尔图尔·科利奇 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于穿硅通路金属化的粘合层。为了实现上述目的并且本发明目的，提供了一种用于在硅晶片中形成铜填充穿硅通路特征的方法。在硅上蚀刻穿硅通路。在穿硅通路内形成绝缘层。在穿硅通路内形成阻挡层。在阻挡层上沉积无氧硅、锗、硅锗粘合层。在粘合层上沉积种子层，然后晶片经过退火。用铜和铜合金填满特征。使堆层退火。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通路 金属化 粘合 | ||
【主权项】：
一种用于在硅晶片中形成铜填充的穿硅通路特征的方法，其包括：在所述硅晶片中蚀刻穿硅通路；在所述穿硅通路中形成绝缘层；在所述穿硅通路中形成阻挡层；在所述阻挡层上沉积无氧硅、锗或硅锗粘合层；在所述粘合层上沉积种子层；使包含所述绝缘层、所述阻挡层、所述无氧硅、锗或硅锗粘合层和所述种子层的堆层退火；使用铜或铜合金填充所述穿硅通路；并且使包含所述绝缘层、所述阻挡层、所述无氧硅、锗或硅锗粘合层、所述种子层和所述铜或铜合金的堆层退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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