[发明专利]形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置

摘要

本揭露是包括形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置。在一些具体实施例中，该间隔物的该内表面具有阶梯剖面结构或锥形剖面结构。在一范例中，揭露一装置，其中，用于PMOS装置的该P型功函数金属仅设在由该间隔物的未修整内表面所定义的侧向空间内，同时用于NMOS装置的功函数调整金属是侧向地设在由该侧壁间隔物的已修整内表面和未修整内表面两者所定义的侧向空间之间。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：实行至少一个蚀刻制程以移除用于晶体管的牺牲闸极结构，从而藉由分隔开的侧壁间隔物的内表面定义闸极空腔，该闸极空腔具有一拥有第一宽度的开口；沉积至少一个材料层在该闸极空腔中；形成凹入式牺牲材料层在该闸极空腔中并在该至少一个材料层上方；实行至少一个蚀刻制程以移除在该闸极空腔中并在该凹入式牺牲材料层上方的该至少一个材料层，从而将位在该凹入式牺牲材料层上方的该分隔开的侧壁间隔物的该内表面的部分曝露出来；在该凹入式牺牲材料层的存在下，实行间隔物修整蚀刻制程在该分隔开的侧壁间隔物的该内表面的该曝露部分上以减少该侧壁间隔物至少一个部分的厚度并从而将该开口的尺寸增加到第二宽度，其大于该第一宽度；以及从该闸极空腔中移除该凹入式牺牲材料层。