[发明专利]一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法在审
| 申请号： | 201410382387.1 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104141108A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 吴泓均;鲍明东;徐雪波 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/58;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 张强 |
| 地址： | 315211 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法，该方法包括以下步骤：（1）将基板置于氨水与过氧化氢的混合溶液中，超声进行亲水性处理；（2）通过旋转涂布法在基板上制备周期性排列的高分子纳米球的单层模板；（3）使用氧气作为蚀刻处理气体，对高分子纳米球进行蚀刻，获得蚀刻后的单层模板；（4）通过闭合场非平衡磁控溅射离子镀系统对步骤（3）中的蚀刻后的单层模板进行CrN的溅射沉积；（5）将步骤（4）中沉积后的模板置于有机溶剂中，溶解除去高分子纳米球。本发明采用纳米球旋布技术和纳米球光刻相结合的途径制备阵列模板，通过对工艺条件的调整，能制备出尺寸精度精确可控的阵列模板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 crn 纳米 阵列 二维 结构 可控 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法，该方法包括以下步骤：（1）将基板置于氨水与过氧化氢的混合溶液中，超声进行亲水性处理；（2）通过旋转涂布法在基板上制备周期性排列的高分子纳米球的单层模板；（3）使用氧气作为蚀刻处理气体，对高分子纳米球进行蚀刻，获得蚀刻后的单层模板；（4）通过闭合场非平衡磁控溅射离子镀系统对步骤（3）中的蚀刻后的单层模板进行CrN的溅射沉积；（5）将步骤（4）中沉积后的模板置于有机溶剂中，溶解除去高分子纳米球。
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