[发明专利]一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法

权利要求书

1.一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法，该方法包括以下步骤：（1）将基板置于氨水与过氧化氢的混合溶液中，超声进行亲水性处理；（2）通过旋转涂布法在基板上制备周期性排列的高分子纳米球的单层模板；（3）使用氧气作为蚀刻处理气体，对高分子纳米球进行蚀刻，获得蚀刻后的单层模板；（4）通过闭合场非平衡磁控溅射离子镀系统对步骤（3）中的蚀刻后的单层模板进行CrN的溅射沉积；（5）将步骤（4）中沉积后的模板置于有机溶剂中，溶解除去高分子纳米球。

2.根据权利要求1所述的一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法，其特征在于，所述步骤（1）中氨水与过氧化氢的混合溶液中氨水和过氧化氢的体积比为1:1。

3.根据权利要求2所述的一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法，其特征在于，所述步骤（2）中旋转涂布机的转速为1200 rpm，转动时间4 分钟。

4.根据权利要求3所述的一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法，其特征在于，所述步骤（3）中蚀刻处理的功率为50w，时间为10~35分钟。

5.根据权利要求4所述的一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法，其特征在于，所述步骤（4）中CrN的溅射沉积过程中，模板和靶之间的距离为150 mm，溅射腔体的基础压力抽至1.5×10^-5 torr，基板偏压为-70V，Cr靶电流1A，且利用光谱发射监控仪调节氮气流量并控制镀层成分。

6.根据权利要求5所述的一种CrN纳米孔阵列之二维纳米结构可控尺寸之方法，其特征在于，所述步骤（5）中溶解除去高分子纳米球的过程分三次进行，其中第一次有机溶剂为二氯甲烷，第二次有机溶剂为丙酮，第三次有机溶剂为乙醇。

7. 根据权利要求1至6任一项所述的一种提高金属纳米孔结构可控出光效率的方法，其特征在于，所述高分子纳米球所用材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯中的一种。