[发明专利]抑制双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置及其调试方法有效
| 申请号： | 201410379750.4 | 申请日： | 2014-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104134596A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 沈斌;丁耀根;顾红红;丁海兵;曹静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J23/213 | 分类号： | H01J23/213 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抑制双间隙耦合腔内2π模振荡的吸收腔装置。高吸收腔装置的双调谐吸收腔同时谐振于TM110模式和TM210模式，并通过耦合波导连接至双间隙耦合腔，能够有效地抑制双间隙耦合腔输出电路中具有2π模场形分布的两个非工作模式的振荡，消除由该类振荡引起的多注速调管的不稳定性，降低杂谱电平。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 间隙 耦合 振荡 吸收 装置 及其 调试 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置，其特征在于，包括：双调谐吸收腔(110)，为中空矩形封闭谐振腔，其第一端封闭，其内侧腔壁至少部分面积具有微波衰减材料；矩形耦合波导(120)，连接于所述双调谐吸收腔(110)的第二端和所述双间隙耦合腔(200)之间，正对所述双间隙耦合腔(200)一侧的耦合槽，用于所述双调谐吸收腔(110)和双间隙耦合腔(200)之间的模式耦合；其中，所述双调谐吸收腔(110)上方开设两个螺孔，通过该两个螺孔，分别向所述双调谐吸收腔(110)内垂直向下插入第一调谐螺钉(114)和第二调谐螺钉(115)，其中，该两个螺孔均位于所述双调谐吸收腔(110)宽边的中心，使该双调谐吸收腔(110)同时谐振于TM110模式和TM210模式。
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