[发明专利]抑制双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置及其调试方法有效

专利信息
申请号: 201410379750.4 申请日: 2014-08-04
公开(公告)号: CN104134596A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 沈斌;丁耀根;顾红红;丁海兵;曹静 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: H01J23/213 分类号: H01J23/213
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 抑制 间隙 耦合 振荡 吸收 装置 及其 调试 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子行业电真空技术领域,尤其涉及一种抑制双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置。

背景技术

为了扩展多注速调管的带宽,通常采用双间隙耦合腔作为宽带输出电路。由于双间隙耦合腔输出电路的二个谐振腔间存在内部反馈,在一定条件下,会引起非工作模式振荡,导致多注速调管电子注电流和电子注通过率下降、引起多注速调管打火。此外,在高频激励下,由于电子注速度变化或少量反转电子和二次电子的存在,将激励起其它非工作模式,形成杂谱,降低了输出频谱的质量,引起发射机输出波导打火和干扰其它微波电子系统。因此,抑制多注速调管非工作模式的振荡对提高多注速调管性能,保证输出频谱重量和工作稳定性,使其在微波电子系统中正常工作,具有重要意义。

对于工作频率为低频段(L和S波段)的多注速调管,通常采用工作在π模的双间隙耦合腔输出电路。研究分析和实际制管表明,该输出电路容易产生场分布为2π模结构的非工作模式振荡。为了抑制该类非工作模式振荡产生的杂谱,通常在双间隙耦合腔上外接一个吸收腔,该吸收腔通过耦合口与双间隙耦合腔耦合,抑制谐振频率比工作模式稍高的场形为2π模的TM010模式的振荡。而实际制管工作表明,谐振频率较高,场形为2π模的TM110模式在某些特定条件下也会产生振荡,该振荡同样会严重影响多注速调管直流状态工作的稳定性。

发明内容

(一)要解决的技术问题

鉴于上述技术问题,本发明提供了一种抑制双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置及其调试方法,以抑制双间隙耦合腔内的非工作模式。

(二)技术方案

本发明抑制双间隙耦合腔内2π模振荡的吸收腔装置包括:双调谐吸收腔,为中空矩形封闭谐振腔,其第一端封闭,其内侧腔壁至少部分面积具有微波衰减材料;矩形耦合波导,连接于所述双调谐吸收腔的第二端和所述双间隙耦合腔之间,正对所述双间隙耦合腔一侧的耦合槽,用于所述双调谐吸收腔和双间隙耦合腔之间的模式耦合。其中,所述双调谐吸收腔上方开设两个螺孔,通过该两个螺孔,分别向所述双调谐吸收腔内垂直向下插入第一调谐螺钉和第二调谐螺钉,其中,该两个螺孔均位于所述双调谐吸收腔宽边的中心,使该双调谐吸收腔同时谐振于TM110模式和TM210模式。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出,本发明抑制双间隙耦合腔内2π模振荡的吸收腔装置及其调制方法具有以下有益效果:

(1)双调谐吸收腔同时谐振于TM110模式和TM210模式,其通过耦合波导连接至双间隙耦合腔,从而能够有效地抑制双间隙耦合腔输出电路中具有2π模场形分布的两个非工作模式的振荡,消除由该类振荡引起的多注速调管的不稳定性,同时降低杂谱电平;

(2)能同时对具有2π模场形分布的两个非工作模式加载,而对具有π模场形分布的工作模式的加载很小,能保证在抑制非工作模式振荡的同时,对多注速调管的效率和功率-频宽特性影响很小;

(3)衰减材料涂覆和烧结在吸收腔内表面,散热好,出气小;

(4)体积小,制备和装配工艺简单。

附图说明

图1是根据本发明实施例抑制多注速调管双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置的纵向剖视图;

图2A为图1所示吸收腔装置与多注速调管双间隙耦合腔装配后的纵向剖视图;

图2B为图1所示吸收腔装置与多注速调管双间隙耦合腔装配后的横向剖视图。

【本发明主要元件】

100-吸收腔装置;

110-双调谐吸收腔;

111-腔体;                     112-腔盖;

113-微波衰减材料;             114-第一调谐螺钉;

115-第二调谐螺钉;

120-矩形耦合波导;

121-第一矩形波导孔;           122-第二矩形波导孔;

200-多注速调管双间隙耦合腔;

210-腔体;

211-定位台阶;

220-上腔盖;

230-下腔盖;

240-耦合膜片;

241、242-耦合槽;              243-耦合环;

244-输出矩形波导。

具体实施方式

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