[发明专利]沟槽型双层栅的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型双层栅的制造方法，包括步骤在半导体外延层上形成沟槽；淀积衬垫氧化膜；淀积一层氮化膜；采用淀积加回刻工艺在沟槽底部填充第一层多晶硅；对氮化膜进行回刻将衬垫氧化膜的顶部表面露出；对衬垫氧化膜进行湿法腐蚀将沟槽侧面需要形成栅氧的区域露出；对氮化膜进行腐蚀到低于第一层多晶硅的顶部表面并形成一凹陷区；进行热氧化在沟槽侧面形成栅氧以及对第一层多晶硅的顶部热氧化形成第一氧化层；采用淀积加回刻工艺形成填充沟槽顶部的第二层多晶硅。本发明能避免在双层多晶硅之间形成尖角结构。

主权项

一种沟槽型双层栅的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体外延层上形成沟槽；步骤二、淀积衬垫氧化膜，所述衬垫氧化膜覆盖在所述沟槽的底部表面和侧壁表面以及所述沟槽外的表面；步骤三、在所述衬垫氧化膜的表面淀积一层氮化膜；步骤四、淀积第一层多晶硅并对所述第一层多晶硅进行回刻，回刻后的所述第一层多晶硅位于所述沟槽的底部并将该底部的所述沟槽部分完全填充；步骤五、采用各向异性干法腐蚀工艺回刻所述氮化膜，所述氮化膜回刻后将所述衬垫氧化膜的顶部表面露出；步骤六、采用湿法腐蚀工艺对所述衬垫氧化膜进行刻蚀并使所述衬垫氧化膜从所述沟槽顶部开始往下被去除，刻蚀后的所述衬垫氧化膜将所述沟槽侧面需要形成栅氧的区域露出；步骤七、采用热磷酸对所述氮化膜进行腐蚀，腐蚀后的所述氮化膜的顶部表面低于所述第一层多晶硅的顶部表面并形成一凹陷区；步骤八、采用热氧化工艺在所述沟槽的侧面的栅氧区域形成栅氧，形成栅氧的同时所述第一层多晶硅的顶部也被热氧化为第一氧化层，在横向上所述第一氧化层将所述凹陷区完全填充，在纵向上所述第一氧化层的表面和所述衬垫氧化膜表面相平；步骤九、淀积第二层多晶硅并对所述第二层多晶硅进行回刻，回刻后的所述第二层多晶硅将所述沟槽的顶部完全填充，所述第一层多晶硅和所述第二层多晶硅之间的隔离介质层由所述第一氧化层和所述衬垫氧化膜组成。