[发明专利]一种ZnO压敏电阻低压化添加剂及其制备方法有效
申请号: | 201410361166.6 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN104150900A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 徐志军;马帅;初瑞清;李伟;郝继功;巩云云 | 申请(专利权)人: | 聊城大学 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 252059 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种ZnO压敏电阻低压化添加剂及其制备方法。该添加剂的化学元素组成为Bi、Cr和O,相结构组分为Bi2O3、Bi7.38Cr0.62O12+x和Bi14CrO24。它是由Bi2O3和Cr2O3的混合粉体煅烧制备而成。初始原料中Bi2O3和Cr2O3摩尔比为18:1,煅烧温度为750oC,保温时间2-4h。使用过程中根据ZnO压敏电阻基体的配方不同,该添加剂的掺杂量在3-5wt%之间调整。本发明的优点是:(1)制备工艺简单。(2)烧结过程中,该添加剂能促进晶粒长大,降低ZnO压敏电阻的压敏电压,同时可以在一定程度上增大压敏电阻的非线性系数。 | ||
搜索关键词: | 一种 zno 压敏电阻 低压 添加剂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种ZnO压敏电阻低压化添加剂,其特征是:该添加剂的化学元素组成为Bi、Cr和O,相结构组分为Bi2O3、 Bi7.38Cr0.62O12+x和Bi14CrO24。
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