[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池的制造方法

摘要

本发明提供一种选择性发射极太阳能电池的制造方法，该方法包括损伤层去除，两步扩散，正面电极沟槽蚀刻，正面电极填充的烧结，反蚀形成高掺杂区和低掺杂区，该正面电极包括侧壁电极片、以折线方式延伸的嵌入电极片、主电极条，两步扩散包括恒温初步扩散和降温推进扩散，降温扩散时间为初步扩散时间的1.5‑2倍。该方法制备的选择性发射极太阳能电池能够在整体上提高光吸收效率，光生载流子收集效率，避免表面死层现象，同时调节短路电流和开路电压，提高电池填充率。

主权项

1.一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤： (1)提供第一导电类型的单晶硅片， NaOH溶液对所述单晶硅片进行损伤层去除，随后对所述单晶硅片进行去离子水清洗和烘干处理； （2）将硅片送入闭管高温扩散炉对硅片正面进行扩散工艺； （3）反蚀工艺，形成高掺杂区和低掺杂区； （4）沉积抗反射膜； 其特征在于，所述扩散工艺为两步扩散，并且包括：以氮气为携磷气体，三氯氧磷为磷源，在950‑1050摄氏度温度范围内进行恒温初步扩散；之后以恒定的速率降温到终止温度，同时进行推进扩散，温度到达终止温度时，停止通磷源;在步骤（2）和步骤（3）之间还包括正面电极形成步骤，所述正面电极形成步骤包括：在所述单晶硅片掺杂区的正面蚀刻形成正面电极沟槽图案，所述正面电极沟槽的深度为结深的四分之一到二分之一；以及在该正面电极沟槽图案的沟槽内填充银浆料；该正面电极沟槽图案具有相互平行的多个侧壁电极片沟槽对(41)，每个侧壁电极片沟槽对（41）具有两个相互平行的侧壁电极片沟槽(411)，侧壁电极片沟槽(411)由硅片正面(S1)的一侧延伸到另一侧，多个侧壁电极片沟槽对（41）之间的距离（d21）大于侧壁电极片沟槽对（41）中侧壁电极片沟槽（411）之间的距离（d22），侧壁电极片沟槽对（41）之间的距离是侧壁电极片沟槽对（41）中侧壁电极片沟槽（411）之间距离的2倍；多个主电极条沟槽（5），沿着与侧壁电极片沟槽（411）相交叉的方向延伸，与侧壁电极片沟槽（411）垂直；在该多个侧壁电极片沟槽对（41）中的侧壁电极片沟槽（411）之间还具有沿折线方式延伸的嵌入电极片沟槽（42），该嵌入电极片沟槽（42）在折角处与侧壁电极片沟槽（411）连通，并且该多个主电极条沟槽（5）穿过该折角处，主电极条沟槽（5）与侧壁电极片沟槽（411）在主电极条沟槽（5）与侧壁电极片沟槽（411）相交叉的地方连通；该侧壁电极片沟槽（411）、主电极条沟槽（5）和嵌入电极沟槽（42）的深度为结深的四分之一到二分之一之间；正面电极填充，向侧壁电极片沟槽（411），主电极条沟槽（5）和嵌入电极片沟槽（42）内填充银浆料，并在硅片背面通过丝网印刷工艺形成背电极，经烧结形成正面电极和背面电极(6)；对应的，侧壁电极片沟槽（411）、主电极条沟槽（5）和嵌入电极片沟槽（42）内的银浆料分别形成正面电极中的侧壁电极片（411E）、主电极条（5E）和嵌入电极片(42E)，因此，主电极条(5E)与侧壁电极片(411E)在其交叉的地方接触连接，嵌入电极片(42E)与侧壁电极片(411E)在嵌入电极片（42E）折角处接触连接,主电极条(5E)穿过该嵌入电极片（42E）折角处。