[发明专利]一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法

摘要

本发明提供一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)以单晶硅片为衬底；(2)在单晶硅片衬底抛光面上利用磁控溅射方法沉积一层石墨过渡层，石墨过渡层厚度为20-100nm；(3)在石墨过渡层上利用化学气相沉积的方法制备锗薄膜，厚度为20-100μm。本发明的方法将石墨作为硅和锗之间的过渡层，不仅可以消除硅和锗之间的晶格失配，还可以减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降，降低锗薄膜的缺陷密度。本发明的方法利用磁控溅射方法、化学气相沉积法制备出锗薄膜，用于后续多节叠层电池的制作，大幅度的降低多节太阳能电池的生产成本，提高太阳能电池的效率。

主权项

一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以单晶硅片为衬底；(2)在单晶硅片衬底抛光面上沉积一层石墨过渡层；(3)在石墨过渡层上利用化学气相沉积的方法制备锗薄膜。