[发明专利]一种太赫兹波的光学调制器件、调制方法及装置有效

专利信息
申请号: 201410349829.2 申请日: 2014-07-22
公开(公告)号: CN104166249A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 黄维;周源;杨涛;沈骁;李兴鳌;周馨慧;刘亚丽;何浩培;严怀成 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: G02F1/015 分类号: G02F1/015
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 杨楠
地址: 210023 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件,用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层,该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率;复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法,令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射;通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强,使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化,实现太赫兹波的调制。本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制,且调制的频率和幅度范围大、调制速度快,实现成本低。
搜索关键词: 一种 赫兹 光学 调制 器件 方法 装置
【主权项】:
一种太赫兹波的光学调制器件,用于对太赫兹波进行调制,其特征在于,该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层,所述本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率;所述复合层上设置有亚波长孔阵列结构,所述亚波长孔阵列结构的晶格常数满足以下条件:,式中,v为太赫兹波在外部气体或真空中的传播速度,ε1为所述本征半导体层和外部气体或真空的等效介电常数,ε2是所述金属层的介电常数,分别为所调制太赫兹波的最小、最大频率,lm是整数模指数。
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