[发明专利]宽光谱宽角度椭圆纳米线阵列薄膜太阳能电池陷光结构无效
| 申请号： | 201410347108.8 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104201228A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吴永刚 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L31/054 | 分类号： | H01L31/054;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 陈树德;李颖薇 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种宽光谱宽角度椭圆纳米线阵列薄膜太阳能电池陷光结构，所述的陷光结构由截面积为椭圆形的半导体纳米线并行排列形成纵向阵列，而且相邻椭圆纳米线在截面上的长轴之间相互有一定的角度，该角度＞0°，且≤90°。这种具有宽光谱宽角度高陷光效率的椭圆半导体纳米线阵列结构及其设计方法，相比以往的圆形半导体纳米线阵列结构，在太阳光谱长波段和短波段的吸收效率均有了显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 角度 椭圆 纳米 阵列 薄膜 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】：
一种宽光谱宽角度椭圆纳米线阵列薄膜太阳能电池陷光结构，其特征在于：所述的陷光结构由截面积为椭圆形的半导体纳米线并行排列形成纵向阵列，而且相邻椭圆纳米线在截面上的长轴之间相互有一定的角度，该角度＞0°，且≤90°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
