[发明专利]一种应用于无源UHF RFID标签芯片的低功耗基准电路有效

专利信息
申请号: 201410346930.2 申请日: 2014-07-21
公开(公告)号: CN104111685A 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 郑礼辉;李建成;蔡磊;郭俊平;李松亭;王宏义;谷晓忱;郑黎明;李浩 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学;湖南晟芯源微电子科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 胡伟华
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种应用于无源UHFRFID标签芯片的低功耗基准电路,由正温度系数电流电路、负温度系数电流电路和基准电压输出电路组成,所述正温度系数电流电路用于产生正温度系数电流I+;所述负温度系数电流产生电路用于产生负温度系数电流I-;所述基准电压输出电路产生一个零温度系数的电压Vref。本发明具有能自启动、无差分运放、工作电压较低、功耗低的优点。
搜索关键词: 一种 应用于 无源 uhf rfid 标签 芯片 功耗 基准 电路
【主权项】:
一种应用于无源UHFRFID标签芯片的低功耗基准电路,其特征在于,由正温度系数电流电路、负温度系数电流电路和基准电压输出电路组成,所述正温度系数电流电路由第一PMOS管(101)、第二PMOS管(102)、第一NMOS管(103)、第二NMOS管(104)和第一电阻(105)组成,用于产生正温度系数电流I+;所述负温度系数电流产生电路,由第三PMOS管(106)、第五PMOS管(108)、第二NMOS管(104)、第三NMOS管(110)和第二电阻(111)组成,用于产生负温度系数电流I;所述基准电压输出电路,由第四PMOS管(107)、第六PMOS管(109)、第七PMOS管(112)和第三电阻(113)组成,其中第七PMOS管(112)分别与正温度系数电流电路中的第一PMOS管(101)、第二PMOS管(102)构成二组单管电流镜,并在其上复制一路正温度系数电流I+;第四PMOS管(107)、第六PMOS管(109)则与负温度系数电流产生电路中的第三PMOS管(106)、第五PMOS管(108)构成一组共源共栅电流镜,并在其上复制一路负温度系数的电流I;第三电阻(113)则承载这两路电流的代数叠加为:I++I,并且在其上产生一个零温度系数的电压Vref<mrow><msub><mi>V</mi><mi>ref</mi></msub><mo>=</mo><mrow><mo>(</mo><mi>&alpha;</mi><mo>*</mo><mfrac><mrow><msub><mi>nV</mi><mi>T</mi></msub><mi>ln</mi><mfrac><msub><mi>K</mi><mn>103</mn></msub><msub><mi>K</mi><mn>104</mn></msub></mfrac></mrow><msub><mi>R</mi><mn>105</mn></msub></mfrac><mo>+</mo><mi>&beta;</mi><mo>*</mo><mfrac><msub><mi>V</mi><mrow><mi>GS</mi><mn>104</mn></mrow></msub><msub><mi>R</mi><mn>111</mn></msub></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>*</mo><msub><mi>R</mi><mn>113</mn></msub></mrow>其中,n(=1+Cd/Cox)表示亚阈值斜率,VT=(kBT/q)表示热电压,K103表示第一NMOS管(103)的宽长比,K104表示第二NMOS管(104)的宽长比,R105表示第一电阻(105)的阻值,R111表示第二电阻(111)的阻值,VGS104表示第二NMOS管(104)的栅源电压,α为单管电流镜中的第七PMOS管(112)与第一PMOS管(101)或第二PMOS管(102)的尺寸之比,β为第四PMOS管(107)与第三PMOS管(106)、或第六PMOS管(109)与第五PMOS管(108)的尺寸之比。
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