[发明专利]一种应用于无源UHF RFID标签芯片的低功耗基准电路

权利要求书

1.一种应用于无源UHFRFID标签芯片的低功耗基准电路，其特征在于，由正温度系数电流电路、负温度系数电流电路和基准电压输出电路组成，

所述正温度系数电流电路由第一PMOS管(101)、第二PMOS管(102)、第一NMOS管(103)、第二NMOS管(104)和第一电阻(105)组成，用于产生正温度系数电流I₊；

所述负温度系数电流产生电路，由第三PMOS管(106)、第五PMOS管(108)、第二NMOS管(104)、第三NMOS管(110)和第二电阻(111)组成，用于产生负温度系数电流I_-；

所述基准电压输出电路，由第四PMOS管(107)、第六PMOS管(109)、第七PMOS管(112)和第三电阻(113)组成，其中第七PMOS管(112)分别与正温度系数电流电路中的第一PMOS管(101)、第二PMOS管(102)构成二组单管电流镜，并在其上复制一路正温度系数电流I₊；第四PMOS管(107)、第六PMOS管(109)则与负温度系数电流产生电路中的第三PMOS管(106)、第五PMOS管(108)构成一组共源共栅电流镜，并在其上复制一路负温度系数的电流I_-；第三电阻(113)则承载这两路电流的代数叠加为：I₊+I_-，并且在其上产生一个零温度系数的电压V_ref：

Vref=(α*nVTlnK103K104R105+β*VGS104R111)*R113]]>

其中，n(＝1+C_d/C_ox)表示亚阈值斜率，V_T＝(k_BT/q)表示热电压，K₁₀₃表示第一NMOS管(103)的宽长比，K₁₀₄表示第二NMOS管(104)的宽长比，R₁₀₅表示第一电阻(105)的阻值，R₁₁₁表示第二电阻(111)的阻值，V_GS104表示第二NMOS管(104)的栅源电压，α为单管电流镜中的第七PMOS管(112)与第一PMOS管(101)或第二PMOS管(102)的尺寸之比，β为第四PMOS管(107)与第三PMOS管(106)、或第六PMOS管(109)与第五PMOS管(108)的尺寸之比。