[发明专利]改性PZT压电陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201410341017.3 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN104129992A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 徐锦生 | 申请(专利权)人: | 宁波凯普电子有限公司 |
主分类号: | C04B35/491 | 分类号: | C04B35/491;C04B35/622 |
代理公司: | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人: | 周豪靖 |
地址: | 315121 浙江省宁波市东钱*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种改性PZT压电陶瓷材料,其化学通式为:Pb1-a-bBaaSrbZr1-xTixO3+Ywt%Sb2O3+Zwt%Pb3O4,其中0.04≤a≤0.16;0.04≤b≤0.12;0.44≤x≤0.46;0.60≤Y≤1.2;0.15≤Z≤0.40。上述压电陶瓷材料采用PZT二元系压电陶瓷,并且加入Sr2+、Ba2+以及Sb2O3;在重复性方面,通过加入本瓷体粉体,使得PZT压电陶瓷的压电性能有大幅度提高,而且加入的本瓷体粉体是由生产过程中产生的破碎的废瓷片,且最高量可掺到30%,从而使得压电陶瓷材料的成本大幅度降低。与传统方法制备的PZT压电陶瓷相比具有高介电性能,高压电性能且重复性好,使用过程中耐久性好。 | ||
搜索关键词: | 改性 pzt 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种改性PZT压电陶瓷材料,其特征是所述改性PZT压电陶瓷材料的化学通式为:Pb1‑a‑bBa aSrbZr1‑xTixO3+Ywt%Sb2O3+Zwt%Pb3O4 ,其中0.04≤a≤0.16;0.04≤b≤0.12;0.44≤x≤0.46;0.60≤Y≤1.2;0.15≤Z≤0.40。
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