[发明专利]一种液晶盒晶体管电性测试方法有效
| 申请号： | 201410318631.8 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104090393B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 付延峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 朱绘,张文娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种液晶盒晶体管电性测试方法，其包括以下步骤将液晶盒阵列基板上与待测晶体管的源极对应连接的数据线的一端作为源极测试端；将液晶盒阵列基板上与待测晶体管的栅极对应连接的扫描线的一端作为栅极测试端；将阵列基板上作为待测晶体管存储电容一侧电极的像素电极与作为待测晶体管存储电容另一侧电极的电极线的重叠区域短接，并将所述电极线的一端作为漏极测试端；通过源极测试端、栅极测试端和漏极测试端检测待测晶体管。利用本发明提出的测试方法，可以在不破坏液晶盒的情况下对封装好的液晶盒中的晶体管进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 液晶 晶体管 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种液晶盒晶体管电性测试方法，包括以下步骤：将液晶盒阵列基板上与待测晶体管的源极对应连接的数据线的一端作为源极测试端；将液晶盒阵列基板上与待测晶体管的栅极对应连接的扫描线的一端作为栅极测试端；在阵列基板上，从晶体管侧通过激光照射将阵列基板上作为待测晶体管存储电容一侧电极的像素电极与作为待测晶体管存储电容另一侧电极的扫描线的重叠区域短接，并将所述作为待测晶体管存储电容另一侧电极的扫描线的一端作为漏极测试端；其中，所述作为待测晶体管存储电容另一侧电极的扫描线是所述待测晶体管所在像素单元的下一行像素单元所连接的扫描线；通过源极测试端、栅极测试端和漏极测试端检测待测晶体管。
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