[发明专利]ITO薄膜的制备方法及ITO薄膜在审
| 申请号： | 201410317189.7 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104109838A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘玉华;方凤军 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻显示器件有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 443000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法及ITO薄膜，该ITO薄膜的制备方法包括提供玻璃衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在220～310℃以及在氧化性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，其中，所述氧化性气体选自N2、NO及NO2中的一种，或选自Ar和N2的混合气体、Ar和NO的混合物气体及Ar和NO2的混合物气体中的一种的步骤。氧化性气体吸附到ITO膜层中，减少了ITO膜层中的载流子数量，减少ITO膜层中的间隙电阻，避免ITO膜层因吸附还原性气体而改变膜层电阻和间隙电阻，其电阻能够保持稳定，解决了电阻下降，避免了电阻降低的幅度和位置没有规律性的问题，较好地控制了ITO薄膜的电阻均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在220～310℃；在氧化性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，其中，所述氧化性气体选自N2、NO及NO2中的一种，或选自Ar和N2的混合气体、Ar和NO的混合物气体及Ar和NO2的混合物气体中的一种。
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