[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201410302733.0 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104091831A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 金熙哲;宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和半导体层，源极和所述漏极不同层设置；半导体层分别与源极和漏极电连接；在半导体层上对应源极和漏极之间的区域为沟道区域。本发明还提供了包括上述薄膜晶体管的阵列基板和显示装置，通过改变构图工艺，使得源极和漏极分别在不同的图层形成，减少薄膜晶体管的沟道长度，一般可以将沟道长度从原来的15um缩短到现在的5um以下，使沟道电阻大幅度减小，缩短沟道距离可以大幅提升薄膜晶体管的充电效率，缩短充电时间，从而提高晶体管的工作效率。由于器件沟道尺寸的缩减，还可以缩小晶体管的面积，有利于实现高集成度的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、源极、漏极和半导体层，所述源极和所述漏极不同层设置；所述半导体层分别与所述源极和所述漏极电连接；在所述半导体层上对应所述源极和所述漏极之间的区域为沟道区域。
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