[发明专利]受应力的场效晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种受应力的场效晶体管的制造方法。该场效晶体管(40)包括硅衬底(44)，在该硅衬底上覆有栅极绝缘体(54)。栅极电极(62)覆于该栅极绝缘体上，并且确定信道区域(68)于该栅极电极的下方的该硅衬底中。具有第一厚度的第一硅锗区域(76)嵌入该硅衬底中，并接触该信道区域。具有第二厚度的第二硅锗区域(82)也嵌入该硅衬底中，该第二厚度大于该第一厚度，并且该第二硅锗区域与该信道区域分隔开。

主权项

一种用于制造受应力的场效晶体管(40)的方法，该受应力的场效晶体管包含单晶硅衬底(44)，该方法包括下列步骤：沉积与图案化覆于该硅衬底上的多晶硅层(58)，以形成栅极电极(62)，该栅极电极确定位于该硅衬底中该栅极电极下方的信道区域(68)；沉积第一层的间隔件形成材料(70)覆于该栅极电极上；非等向性蚀刻该第一层以于该栅极电极上形成第一侧壁间隔件(72)；使用该栅极电极与该侧壁间隔件作为蚀刻掩膜来蚀刻第一凹槽(74)至该硅衬底中；在该第一凹槽中外延生长具有第一厚度的未掺杂的嵌入硅锗层(76)且接触该信道区域；在该第一侧壁间隔件上形成第二侧壁间隔件(78)；使用该栅极电极与该第二侧壁间隔件作为蚀刻掩膜来蚀刻第二凹槽(80)至该硅衬底中；在该第二凹槽中外延生长具有第二厚度的原位掺杂的嵌入硅锗层(82)且与该信道区域分隔开，该第二厚度大于该第一厚度；移除该第一侧壁间隔件(72)及该第二侧壁间隔件(78)；在该栅极电极上形成第三侧壁间隔件(86)；在该受应力的场效晶体管的表面上沉积硅化物形成金属(94)；以及形成电性接触件(96、97、98)至该栅极电极及至该第二嵌入硅锗层。