[发明专利]可同时光电转化与光能存储的纳米线阵列器件及其制备方法和应用在审
申请号: | 201410288386.0 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN104078245A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 郑耿锋;王永成;唐静 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01G9/042 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池技术领域,具体为一种可同时光电转化与光能存储的纳米线阵列器件及其制备方法和应用。本发明包括:在光电材料上复合电容材料制成的光阳极;光阴极;电解液;光阳极和光阴极短路连接后置于电解液中。如在TiO2纳米线阵列上负载NiO纳米片作为光阳极,以硅纳米线阵列作为光阴极,光生电子在硅纳米上还原H+产生H2,光生空穴将TiO2纳米线上的NiO氧化成NiOOH,将光生空穴的能量储存成NiOOH的化学能,实现了同时光电转换与光能储存,提高了太阳能电池对光的利用效率。进一步通过NiOOH将葡萄糖氧化成葡萄糖酮,将NiOOH中储存的化学能作为一个自驱动的化学传感器释放。本发明原材料来源广泛,制备方法简单、环保、价格低廉。 | ||
搜索关键词: | 同时 光电 转化 光能 存储 纳米 阵列 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种可同时光电转化与光能存储的纳米线阵列器件,其特征在于包括:一在光电材料上复合电容材料制成的光阳极;一光阴极;电解液;上述光阳极和光阴极短路连接后置于电解液中。
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