[发明专利]可同时光电转化与光能存储的纳米线阵列器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201410288386.0 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104078245A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 郑耿锋;王永成;唐静 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 同时 光电 转化 光能 存储 纳米 阵列 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
1. 一种可同时光电转化与光能存储的纳米线阵列器件，其特征在于包括：一在光电材料上复合电容材料制成的光阳极；一光阴极；电解液；上述光阳极和光阴极短路连接后置于电解液中。
2. 根据权利要求1所述的纳米线阵列器件，其特征在于所述的光阳极中的光电材料是TiO2、ZnO、WO3、Fe2O3中的一种或多种。
3.根据权利要求1或2所述的纳米线阵列器件，其特征在于所述的电容材料是NiO、Ni(OH)2、Co3O4、CoO、Co(OH)2、MnOx、Mn(OH)2中的一种或多种。
4. 根据权利要求3所述的纳米线阵列器件，其特征在于所述的光阴极光电材料是Si、Cu2O、GaP、InP中的一种或多种。
5. 根据权利要求4所述的纳米线阵列器件，其特征在于所述的电解液是Na2SO4、NaCl、K2SO4之一种。
6. 如权利要求1所述的可同时光电转化与光能存储的纳米线阵列器件的制备方法，其特征在于具体步骤为：
(1) 在光电材料上复合电容材料，作为光阳极；
(2) 提供一光阴极；
(3) 将上述光阳极和光阴极短路连接置于电解液中。
7. 如权利要求1所述的可同时光电转化与光能存储的纳米线阵列器件的应用，其特征在于：用光照给纳米线阵列器件充电，充电过程中加入不同浓度化学检测物溶液，通过电流变化反应化学检测物浓度；
放电过程中加入不同浓度化学检测物溶液，通过光阳极电势变化反应化学检测物浓度。
8. 如权利要求7所述的应用，其特征在于所述的化学检测物为葡萄糖、H2O2、H2S之一种。
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