[发明专利]一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法

摘要

本发明公开了一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，通过一种化学方法对串联电阻（Rs）偏大晶硅太阳能电池片进行表面处理，降低Rs偏大电池片的正银浆料与硅片的接触电阻，从而使得电池片的串联电阻（Rs）恢复到正常水平，转换效率也恢复正常。

主权项

一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，其特征为：配置0.01‑0.1%质量浓度的氢氟酸溶液和0.01‑0.2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24±6℃，将两种溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为2‑5s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗0.5‑2min，取出吹干或烘干。