[发明专利]约束功率半导体器件的安全工作区轨迹的方法有效
| 申请号： | 201410286170.0 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104122921B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | T·罗科 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世(澳大利亚)私人有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,陈松涛 |
| 地址： | 澳大利亚维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在功率半导体器件的工作期间约束该功率半导体器件的安全工作区(SOA)轨迹的方法，所述功率半导体器件位于电源和负载之间，该方法包括：获取负载两端的电压测量值(VLOAD)；选择标量，以缩放所获取的负载两端的电压测量值(VLOAD)；以及根据由该标量与在负载两端获取的电压测量值(VLOAD)的乘积来借助控制电路构造用于控制该功率半导体器件控制电压，从而约束该功率半导体的输出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 约束 功率 半导体器件 安全 工作 轨迹 方法 | ||
【主权项】：
一种在功率半导体器件的工作期间对所述功率半导体器件的安全工作区SOA轨迹进行约束的方法，所述功率半导体器件位于电源和负载之间，所述方法包括：获取所述负载两端的电压测量值VLOAD；选择标量，以缩放在所述负载的两端获取的所述电压测量值VLOAD；以及根据所述标量与在所述负载的两端获取的所述电压测量值VLOAD的乘积来利用控制电路构造用于控制所述功率半导体器件的控制电压，从而约束所述功率半导体器件的输出电压，其中，选择在所述控制电路中的位于所述功率半导体器件的输出电极和所述功率半导体器件的控制电极之间的第一阻抗R1以及选择在所述控制电路中的位于所述负载的输出和所述功率半导体器件的所述控制电极之间的第二阻抗R2，以形成标量。
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