[发明专利]可调控局域温场的石墨承载盘有效
| 申请号： | 201410282338.0 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104051316B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;伍明跃;寻飞林;李志明;邓和清;周启伦;郑建森;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明旨在提供一种可调控局域温场的石墨承载盘，包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽，用于置放外延晶圆衬底，所述晶圆凹槽的背面至少设置有一开槽结构，且所述开槽结构与石墨承载盘呈同心圆关系，所述开槽结构并填充导入材料或仅开槽结构，用于在外延生长过程中能实现石墨承载盘局部温场调控，从而平衡石墨承载盘的整体温场，提高外延晶圆的边缘良率，改善外延晶圆的波长均匀性和整体良率。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 局域 石墨 承载 | ||
【主权项】：
可调控局域温场的石墨承载盘，包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽，用于置放外延晶圆衬底，所述晶圆凹槽的背面至少设置有一开槽结构，且所述开槽结构与石墨承载盘呈同心圆关系，所述开槽结构位于晶圆衬底平边空隙位置的下方，并在开槽结构中填充导热系数比石墨承载盘高的高导热材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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