[发明专利]一种冷等离子处理的花生育种方法有效
| 申请号： | 201410273108.8 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104012208A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 唐欣;邵希言;邵芊璇;梁天昊;张丽丽;赵立静;李艳;梁凤臣 | 申请（专利权）人： | 唐欣 |
| 主分类号： | A01C1/00 | 分类号： | A01C1/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 彭成 |
| 地址： | 250100 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种冷等离子体处理的花生育种方法，包括如下步骤：(1)将待处理花生原材料进行冷等离子体处理，得到冷等离子体处理后的材料；(2)从冷等离子体处理后的材料中选育具有目标性状的花生。本发明对花生种子进行冷等离子处理，明显提高了花生种子的能力，体现为具有以下特征：种子发芽能力提高；株高降低；主根长增长；须根长增长；百苗鲜重增加；第一侧枝长增长；总分枝数增加；单株饱果数增加；单株瘪果数减少；百果重增加；百仁重增加；出仁率增加；产量增加。本发明的花生育种方法突破了传统育种低水平重复、同质化严重和转基因育种潜在危险，以及太空育种经济投入巨大的缺点，可以缩短育种周期，在育种方法和手段上具有先进性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 处理 花生 育种 方法 | ||
【主权项】：
一种冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：对花生原材料进行冷等离子体处理，所述冷等离子体处理的条件为：以氦气为工作介质，在真空封闭环境中，1～500W的处理功率下对花生原材料进行15～20秒的非电离幅射处理。
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