[发明专利]一种冷等离子处理的花生育种方法有效

专利信息
申请号: 201410273108.8 申请日: 2014-06-18
公开(公告)号: CN104012208A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 唐欣;邵希言;邵芊璇;梁天昊;张丽丽;赵立静;李艳;梁凤臣 申请(专利权)人: 唐欣
主分类号: A01C1/00 分类号: A01C1/00
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 彭成
地址: 250100 山东省济南*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子 处理 花生 育种 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种花生育种方法,具体涉及一种采用冷等离子处理技术的花生育种方法,属于农业技术领域。

背景技术

花生,原名落花生(学名:Arachis hypogaea Linn.),属蔷薇目,豆科一年生草本植物,茎直立或匍匐,长30~80厘米,翼瓣与龙骨瓣分离,荚果长2~5厘米,宽1~1.3厘米,膨胀,荚厚,花果期6~8月。花生是我国重要的作物,花生的育种工作一直是研究的热点之一。

传统花生育种在过去的几十年取得了很大的成就,但由于育种时间过长、效率较低等局限性,仅凭经验,比较盲目,导致低水平重复、同质化严重,目前传统花生育种遇到很大瓶颈,甚至停滞。要想在花生育种方面有更高的成就,就一定要依靠现代科学技术。但是,目前具有突破性的转基因育种方法在全球范围内引起了激烈的争论,认为转基因作物具有极大的潜在危险,可能会对人类健康和人类生存环境造成威胁。随着空间技术的发展,利用太空特殊的环境条件对植物种子产生的诱变来进行良种选育成为一种新兴的育种方法,然而太空育种是人工诱变育种的一种新方法,所有人工诱变的发生均是随机的,目前还做不到定向诱变,太空育种的成功率随着物种的不同也会有很大差别,并且太空育种的成本相当高,不是一般单位和个人能够承担的,难以普及。因此,如何找到一种既能突破传统生物育种低水平重复操作,又不改变基因性状、安全环保的育种手段,成为当务之急。

发明内容

针对上述现有技术,本发明提供了一种冷等离子处理的花生育种方法。本发明提供的方法突破了传统花生育种低水平重复、同质化严重和转基因育种潜在危险,以及太空育种经济投入巨大的缺点,可以缩短花生育种周期,在花生育种方法和手段上具有先进性。

本发明是通过以下技术方案实现的:

一种冷等离子处理的花生育种方法:对花生原材料进行冷等离子体处理,所述冷等离子体处理的条件为:以氦气为工作介质,在真空封闭环境中,1~500W的处理功率下对花生原材料进行15~20秒的非电离幅射处理。所述花生原材料为花生种子。

优选的,所述处理功率为10~220W,所述非电离幅射处理的时间为15~18s。

进一步优选的,所述处理功率为20~220W,所述非电离幅射处理的时间为15~18s。

进一步优选的,所述处理功率为140~220W,所述非电离幅射处理的时间为18s。

最优选的,所述处理功率为180W,所述非电离幅射处理的时间为18s。

优选的,所述花生的品种为如下任一品种:山花11号、青花7号、花育33号、青花6号、花育34号、山花12号、山花9号、花育31号、花育30号、临花5号、花育32号、山花10号、花育28号、花育27号、山花7号、花育25号、临花6号、山花8号、花育26号、丰花6号、花育23号、丰花3号。

进一步地,对花生种子进行冷等离子体处理后,选育具有目标性状的花生。选育具有目标性状的花生的方法可为现有技术,如对所述冷等离子体处理后的材料进行加代繁殖,并利用DNA分子标记技术和同工酶鉴定选育具有目标性状的、稳定的自交系;将具有目标性状的、稳定的自交系再进行自交提纯复壮,最终得到所述具有目标性状的花生;

进一步地,所述目标性状是指:与未经任何处理的同一批相同品种的花生种子相比,具有以下特征之一或两种以上:种子发芽能力提高;株高降低;主根长增长;须根长增长;百苗鲜重增加;第一侧枝长增长;总分枝数增加;单株饱果数增加;单株瘪果数减少;百果重增加;百仁重增加;出仁率增加;产量增加。

更具体地,对于各品种的花生而言,经冷等离子体处理后,改善最明显的性状如下:

山花10号品种:发芽势提高最大;

山花10号品种:发芽率提高最大;

花育30号品种:苗高增长最大;

山花9号品种:主根长增长最大;

山花8号品种:须根长增长最大;

花育27号品种:百苗鲜重增长最大。

花育26号品种:株高降低最大。

花育30号品种:第一侧枝长提高最大;

山花8号品种:总分支数提高最大;

山花9号品种:单株饱果数提高最大。

花育34号品种:百果重提高最大;

花育34号品种:百仁重提高最大;

花育30号品种:出仁率提高最大;

花育27号品种:产量提高最大。

上述任一所述的方法在花生育种中的应用也属于本发明的保护范围。

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