[发明专利]PTC陶瓷复合电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410272893.5 申请日: 2014-06-18
公开(公告)号: CN104058796A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 冯斌;金浩;王德苗;何梅 申请(专利权)人: 苏州求是真空电子有限公司
主分类号: C04B41/90 分类号: C04B41/90
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215300 江苏省苏州市昆山市玉*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种PTC陶瓷复合电极及其制备方法,包括PTC陶瓷基片,和采用磁控溅射方法在PTC陶瓷基片正反两表面沉积形成的结合层、及在所述结合层上磁控溅射沉积形成的导电层;采用磁控溅射方法制备,包括溅射沉积50-100nm的结合层和溅射沉积200-2000nm的合金导电层。本发明公开的PTC陶瓷复合电极,具有工艺简单,焊接性能好,生产效率高,成本低等优点,结合本发明公开的溅射制备方法,可提高产品生产效率20%左右,节约电极材料成本50%左右,优化了目前PTC陶瓷溅射膜电极的制备方法。
搜索关键词: ptc 陶瓷 复合 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
一种PTC陶瓷复合电极,其特征在于:包括PTC陶瓷基片,和采用磁控溅射方法在PTC陶瓷基片正反两表面沉积形成的结合层、及在所述结合层上磁控溅射沉积形成的导电层。
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