[发明专利]PTC陶瓷复合电极及其制备方法

权利要求书

1.一种PTC陶瓷复合电极，其特征在于：包括PTC陶瓷基片，和采用磁控溅射方法在PTC陶瓷基片正反两表面沉积形成的结合层、及在所述结合层上磁控溅射沉积形成的导电层。

2.根据权利要求1所述的PTC陶瓷复合电极，其特征在于：所述结合层的材质为钛、铝、铬中的一种，采用磁控溅射金属钛靶或金属铝靶、金属铬靶的方法，在PTC陶瓷基片的正反两表面沉积形成，每一结合层的厚度为50-100nm。

3.根据权利要求1所述的PTC陶瓷复合电极，其特征在于：所述导电层的材质为铜镍铟、铜镍铋或铜镍锡三元合金。

4.根据权利要求3所述的PTC陶瓷复合电极，其特征在于：所述导电层采用磁控溅射铜镍铟、铜镍铋或铜镍锡三元合金靶材的方法，分别在结合层表面上沉积形成，每一导电层的厚度为200-2000nm。

5.根据权利要求1所述的PTC陶瓷复合电极，其特征在于：所述导电层的材质为铜镍银合金，采用磁控溅射共溅镍铜靶和金属银靶的方法，分别在结合层表面上沉积形成，每一导电层的厚度为200-2000nm。

6.根据权利要求5所述的PTC陶瓷复合电极，其特征在于：其中铜镍银合金中银的质量百分比小于4%。

7.一种PTC陶瓷复合电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）镀膜前对PTC陶瓷基片进行清洗以获得洁净的表面，清洗步骤包括：球磨机滚洗20-40分钟，超声波清洗15分钟以上，清洗完成离心甩干，然后再100-140℃烘箱中烘干待装片；

2）将PTC陶瓷基片通过掩膜装架放置在片架上，并进入真空腔体抽真空，当真空度达到5×10^-3Pa时，充入氩气并动态维持0.3-0.7 Pa；

3）溅射结合层：先将结合层金属靶预溅10s，然后控制溅射功率和时间，溅射沉积结合层50-100 nm；

4）溅射沉积导电层：结合层沉积完成后，在同一真空中，采用合金靶溅射或者采用银靶和镍铜靶共溅沉积导电层薄膜200-2000nm；

5）导电层沉积完毕后，将真空室放入大气，取出PTC陶瓷器件即得。