[发明专利]TFT阵列基板结构在审

专利信息
申请号: 201410271512.1 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN104007590A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: 吴川;罗时勋 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种TFT阵列基板结构,包括对应黑色矩阵(2)设置的数个子像素(4),所述每一子像素(4)包括对应黑色矩阵(2)设置的主区域(42)与次区域(44),在子像素之间设有数据线(6),在主区域(42)与次区域(44)之间设有栅极扫描线(8),在两个子像素(4)之间设有像素电极主干(10),在该两个子像素(4)的主区域(42)与次区域(44)上分别设置像素电极分支(12),像素电极分支(12)分别电性连接像素电极主干(10);该TFT阵列基板结构在液晶显示面板弯曲过程中发生相对位移时,像素电极主干(10)仍处于黑色矩阵覆盖的区域内,对电场的影响极小,能有效提升电学特性,避免产生暗纹,从而提升了液晶显示面板的品质。
搜索关键词: tft 阵列 板结
【主权项】:
一种TFT阵列基板结构,包括对应黑色矩阵(2)设置的数个子像素(4),所述每一子像素(4)包括对应黑色矩阵(2)设置的主区域(42)与次区域(44),在子像素之间设有数据线(6),在主区域(42)与次区域(44)之间设有栅极扫描线(8),其特征在于,在相邻的两个子像素(4)之间设有像素电极主干(10),在该两个子像素(4)的主区域(42)与次区域(44)上分别设置像素电极分支(12),所述像素电极分支(12)分别电性连接像素电极主干(10)。
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